Siliziumkarbidplatte Doppelflächenschleifmaschine Lösung

Maschinenmodell: YHDM580B Doppelscheibenschleifmaschine - Zyklusschleifverfahren

Werkstück: Siliziumkarbidplatte (SiC)

Anforderung: 7.150 ± 0.002 mm, Ebenheit/Parallelität <0.01 mm, Rauheit Ra <0.9

Siliziumkarbid (SiC) ist ein anorganisches Material mit mechanischen, thermischen, elektrischen und chemischen Eigenschaften, weshalb es in entwickelten Industrien weit verbreitet ist. Die vorteilhaften Eigenschaften von SiC-Keramik wie hohe Härte, hohe Festigkeit, Verschleißfestigkeit, extreme Sprödigkeit und chemische Stabilität machen die Bearbeitung von SiC jedoch mit konventionellen und nicht-konventionellen Bearbeitungsmethoden schwierig und kostspielig. Die Diamantschleifscheibe erzeugt einen hohen MRR, ohne die Oberflächenmorphologie und -güte zu beeinflussen. Beim Schleifen von SiC sind die Materialeigenschaften von Scheibe und Werkstück ein wichtiger Faktor zur Vorhersage der Oberflächenrauheit. In computergesteuerten Schleifmaschinen wird durch den Einsatz von metallgebundenen Diamantwerkzeugen eine geringe induzierte Schädigung erzeugt. Die mikrostrukturelle Heterogenität erhöht die Bohr- und Schleifraten von SiC deutlich. Die erhöhte dynamische Bruchzähigkeit führte zu einem hohen MRR von SiC, wodurch im Hochgeschwindigkeitsschleifprozess eine bessere Oberflächengüte erreicht wurde. Bei Schleifverfahren mit gebundenen Schleifscheiben werden auf SiC-Spiegeln eine geringe Oberflächenrauheit und eine hohe Formgenauigkeit erreicht. Die Kombination aus hoher Werkstückgeschwindigkeit und der Geschwindigkeit der angehobenen Schleifscheibe kann die Phasentransformation verringern, die beim Hochgeschwindigkeits-Rundschleifen beobachtet wird.